IXYS GigaMOS, HiperFET N-Channel MOSFET, 600 A, 40 V Enhancement, 24-Pin SMPD MMIX1T600N04T2

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 20 ชิ้น)*

THB20,594.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB22,035.60

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 80 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
20 - 20THB1,029.70THB20,594.00
40 - 60THB1,007.316THB20,146.32
80 +THB984.931THB19,698.62

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
168-4791
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
MMIX1T600N04T2
ผู้ผลิต:
IXYS
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

IXYS

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

600A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

SMPD

Series

GigaMOS, HiperFET

Mount Type

Surface

Pin Count

24

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

590nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-20, +20V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

830W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

5.7mm

Length

25.25mm

Width

23.25mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
DE

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series


MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง