Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 13 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR5410TRPBF

RS Stock No.:: 827-4079
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFR5410TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 13 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR5410TRPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB727.30

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB778.22

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

540 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
เพิ่มอีก 11,060 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
20 - 480	THB36.365	THB727.30
500 - 980	THB35.456	THB709.12
1000 +	THB34.912	THB698.24

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 827-4079
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFR5410TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	13A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	TO-252
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	205mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	58nC
	Forward Voltage Vf	-1.6V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	66W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Height	2.39mm
	Length	6.73mm
	Width	6.22 mm
	Automotive Standard	No
	Distrelec Product Id	304-44-465

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 13A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type TO-252
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 205mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 58nC
	Forward Voltage Vf -1.6V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 66W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Height 2.39mm
	Length 6.73mm
	Width 6.22 mm
	Automotive Standard No
	Distrelec Product Id 304-44-465

COO (Country of Origin):: CN

P-Channel Power MOSFET 100V to 150V, Infineon

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range Benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 13 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR5410TRPBF

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

P-Channel Power MOSFET 100V to 150V, Infineon

MOSFET Transistors, Infineon

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง