Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, -13 A, -150 V TO-252 IRFR6215TRLPBF

RS Stock No.:: 258-3986
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFR6215TRLPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, -13 A, -150 V TO-252 IRFR6215TRLPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB190.57

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB203.91

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 1,465 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 5	THB38.114	THB190.57
10 - 95	THB36.208	THB181.04
100 - 245	THB32.588	THB162.94
250 - 495	THB27.70	THB138.50
500 +	THB22.16	THB110.80

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 258-3986
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFR6215TRLPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	-13A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	-150V
	Package Type	TO-252
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds	580mΩ
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	-1.6V
	Maximum Power Dissipation Pd	110W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	44nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id -13A
	Maximum Drain Source Voltage Vds -150V
	Package Type TO-252
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds 580mΩ
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf -1.6V
	Maximum Power Dissipation Pd 110W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 44nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - IRFR6215TRLPBF

The Infineon HEXFET power MOSFET is fifth generation HEXFETs from international rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The D-PAK is designed for surface mounting using vapour phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight lead version is for through-hole mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 watts are possible in typical surface mount applications.

Planar cell structure for wide SOA

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

increased ruggedness

Wide availability from distribution partners

Industry standard qualification level

Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, -13 A, -150 V TO-252 IRFR6215TRLPBF

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง