Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 13 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- RS Stock No.:
- 168-7941
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFR5410TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*
THB41,906.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB44,840.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 10,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | THB20.953 | THB41,906.00 |
| 4000 - 6000 | THB20.325 | THB40,650.00 |
| 8000 + | THB19.715 | THB39,430.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 168-7941
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFR5410TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 13A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 205mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 66W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 58nC | |
| Forward Voltage Vf | -1.6V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.73mm | |
| Width | 6.22 mm | |
| Height | 2.39mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 13A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 205mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 66W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 58nC | ||
Forward Voltage Vf -1.6V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.73mm | ||
Width 6.22 mm | ||
Height 2.39mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P-Channel Power MOSFET 100V to 150V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range Benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR5410TRPBF
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR5410TRLPBF
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET -55 V Enhancement, 3-Pin TO-252