Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 13 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR5410TRLPBF
- RS Stock No.:
- 215-2601
- Distrelec หมายเลขบทความ:
- 304-39-424
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFR5410TRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*
THB869.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB930.36
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 40 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 20 - 740 | THB43.475 | THB869.50 |
| 760 - 1480 | THB42.388 | THB847.76 |
| 1500 + | THB41.736 | THB834.72 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 215-2601
- Distrelec หมายเลขบทความ:
- 304-39-424
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFR5410TRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 13A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 205mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 58nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 66W | |
| Forward Voltage Vf | -1.6V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 13A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 205mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 58nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 66W | ||
Forward Voltage Vf -1.6V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon series fifth generation HEXFET from International rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on resistance for Silicon area. This benefits, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFET are well known for, providing sufficient level device for, provides designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The D-pack is designed for surface mounting using vapour phase, infrared or wave soldering technique.
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Lead-Free
Fully avalanche rated
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR5410TRPBF
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR9120NTRPBF
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin I2PAK
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-247