Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 6.6 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR9120NTRPBF

RS Stock No.:: 827-4082
Distrelec หมายเลขบทความ:: 304-44-467
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFR9120NTRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 6.6 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR9120NTRPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 500 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 2%

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB406.84

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB435.32

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

100 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
เพิ่มอีก 280 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 20 พฤศจิกายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*	การประหยัด
20 - 480	THB20.342	THB406.84	-
500 - 980	THB19.833	THB396.66	2%
1000 +	THB19.528	THB390.56	4%

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 827-4082
Distrelec หมายเลขบทความ:: 304-44-467
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFR9120NTRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	6.6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	HEXFET
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	480mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	40W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	27nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-20V, +20V
	Forward Voltage Vf	-1.6V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	6.73mm
	Standards/Approvals	No
	Height	2.39mm
	Width	6.22mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 6.6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series HEXFET
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 480mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 40W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 27nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V
	Forward Voltage Vf -1.6V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 6.73mm
	Standards/Approvals No
	Height 2.39mm
	Width 6.22mm
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: CN

Infineon HEXFET Series MOSFET, 6.6A Maximum Continuous Drain Current, 40W Maximum Power Dissipation - IRFR9120NTRPBF

This MOSFET plays a vital role in contemporary electronic circuits, especially in applications that require efficient current management. It is characterised by its ability to deliver high performance and low on-resistance, making it suitable for a wide range of electrical and electronic systems. This device is tailored to meet the requirements of sectors such as automation, electrical engineering, and other areas dependent on power management solutions.

Features & Benefits

• High continuous drain current rating of 6.6A supports effective operation

• Capable of managing voltages up to 100V for demanding applications

• Designed in DPAK TO-252 package for precise surface mounting

• Low maximum drain-source resistance of 480mΩ improves power efficiency

• Provides a gate threshold voltage range of 2V to 4V for dependable control

• Supports enhancement mode operation to enhance switching performance

Applications

• Utilised for power management in automation systems

• Employed in DC-DC converter designs

• Suitable for high current switching in industrial equipment

• Integrated into power supply circuits for efficient performance

• Applicable in inverter circuits and motor control

What is the optimal operating temperature for this product?

The optimal operating temperature ranges from -55°C to +150°C, allowing efficient performance in various environments.

How can the gate threshold voltage influence performance?

The maximum gate threshold voltage impacts switching behaviour; the defined range of 2V to 4V ensures reliable on/off conditions.

Is there a specific method for mounting this device?

It is designed for surface mount applications, particularly within the DPAK TO-252 footprint, facilitating integration into PCB layouts.

What does the low RDS(on) mean for my circuit?

A low RDS(on) helps minimise power loss during operation, enhancing overall system efficiency and reducing heat generation.

Can this product handle reverse current?

Yes, it possesses characteristics suitable for effectively managing reverse currents, ensuring stability in various applications.