Infineon AUIRF Type P-Channel MOSFET, 13 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 AUIRFR5410TRL
- RS Stock No.:
- 229-1742
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AUIRFR5410TRL
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB400.67
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB428.715
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 8,540 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | THB80.134 | THB400.67 |
| 10 - 95 | THB78.13 | THB390.65 |
| 100 - 245 | THB76.176 | THB380.88 |
| 250 - 495 | THB74.27 | THB371.35 |
| 500 + | THB72.414 | THB362.07 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 229-1742
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AUIRFR5410TRL
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 13A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | AUIRF | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 205mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 66W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | -1.6V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 58nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 2.39mm | |
| Width | 6.73 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.22mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 13A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series AUIRF | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 205mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 66W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf -1.6V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 58nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 2.39mm | ||
Width 6.73 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.22mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon p channel MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low on resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in automotive and a wide variety of other applications.
It is lead free
It is RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon AUIRF Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon AUIRF Type P-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon AUIRF Type P-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-252 AUIRFR6215TRL
- Infineon AUIRF Type P-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon AUIRF Type P-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-263 AUIRF6215STRL
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR5410TRPBF
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR5410TRLPBF
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252