Infineon AUIRF Type P-Channel MOSFET, 13 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 AUIRFR5410TRL
- RS Stock No.:
- 229-1741
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AUIRFR5410TRL
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 6000 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB13,548.00
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB176,112.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB188,439.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 19 พฤศจิกายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB58.704 | THB176,112.00 | - |
| 6000 - 6000 | THB56.446 | THB169,338.00 | THB13,548.00 |
| 9000 + | THB55.732 | THB167,196.00 | THB26,748.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 229-1741
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AUIRFR5410TRL
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 13A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | AUIRF | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 205mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 66W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 58nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | -1.6V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 2.39mm | |
| Length | 6.22mm | |
| Width | 6.73mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 13A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series AUIRF | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 205mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 66W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 58nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf -1.6V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 2.39mm | ||
Length 6.22mm | ||
Width 6.73mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon AUIRF Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 AUIRFR5410TRL
- Infineon AUIRF Type P-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-252 AUIRFR6215TRL
- Infineon AUIRF Type P-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-263 AUIRF6215STRL
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR5410TRPBF
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR5410TRLPBF
- ROHM RD3P130SP Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 RD3P130SPTL1
- Vishay SiHF9540S Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHF9540STRL-GE3
- DiodesZetex DMP Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252 DMP3010LK3-13