Vishay Si9407BDY Type P-Channel TrenchFET Power MOSFET, 4.7 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI9407BDY-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB728.64

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB779.64

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
กำลังจะเลิกผลิต
  • 1,340 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
20 - 620THB36.432THB728.64
640 - 1240THB35.521THB710.42
1260 +THB34.975THB699.50

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
818-1444
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SI9407BDY-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

TrenchFET Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

4.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

Si9407BDY

Package Type

SOIC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.12Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

-0.8V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

8nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

5W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC

Height

1.55mm

Length

5mm

Width

4 mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง