Vishay Si9407BDY Type P-Channel TrenchFET Power MOSFET, 4.7 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI9407BDY-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 818-1444
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI9407BDY-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*
THB728.64
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB779.64
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 1,340 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 20 - 620 | THB36.432 | THB728.64 |
| 640 - 1240 | THB35.521 | THB710.42 |
| 1260 + | THB34.975 | THB699.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 818-1444
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI9407BDY-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | TrenchFET Power MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4.7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | Si9407BDY | |
| Package Type | SOIC | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.12Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | -0.8V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 8nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 5W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | |
| Height | 1.55mm | |
| Length | 5mm | |
| Width | 4 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type TrenchFET Power MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4.7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series Si9407BDY | ||
Package Type SOIC | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.12Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf -0.8V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 5W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | ||
Height 1.55mm | ||
Length 5mm | ||
Width 4 mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Si9407BDY Type P-Channel TrenchFET Power MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- Vishay Si4164DY Type N-Channel TrenchFET Power MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- Vishay Si4164DY Type N-Channel TrenchFET Power MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4164DY-T1-GE3
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4909DY-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel TrenchFET Power MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2309ES-T1_GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel TrenchFET Power MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC
