Vishay Si4164DY N-Channel TrenchFET Power MOSFET, 30 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4164DY-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
RS Stock No.:
165-7275
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SI4164DY-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

N

Product Type

TrenchFET Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

30A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

Si4164DY

Package Type

SOIC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0032Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

720mV

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-20V, +20V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

26.5nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

6W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

JEDEC JS709A, RoHS

Width

4mm

Length

5mm

Height

1.55mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
TW

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง