Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET, 4 A, 20 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI9933CDY-T1-GE3

RS Stock No.:: 710-3395
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI9933CDY-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET, 4 A, 20 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI9933CDY-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB88.80

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB95.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 14 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 620	THB17.76	THB88.80
625 - 1245	THB17.314	THB86.57
1250 +	THB17.048	THB85.24

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 710-3395
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI9933CDY-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type P
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Package Type	SOIC
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	58mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	17nC
	Maximum Power Dissipation Pd	2W
	Minimum Operating Temperature	150°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	12 V
	Transistor Configuration	Isolated
	Standards/Approvals	No
	Height	1.55mm
	Width	4 mm
	Length	5mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type P
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Package Type SOIC
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 58mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 17nC
	Maximum Power Dissipation Pd 2W
	Minimum Operating Temperature 150°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 12 V
	Transistor Configuration Isolated
	Standards/Approvals No
	Height 1.55mm
	Width 4 mm
	Length 5mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: CN

Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET, 4 A, 20 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI9933CDY-T1-GE3

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง