Vishay 2N7002K Type N-Channel TrenchFET Power MOSFET, 300 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- RS Stock No.:
- 165-7142
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- 2N7002K-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB9,174.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB9,816.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 144,000 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB3.058 | THB9,174.00 |
| 6000 - 9000 | THB2.967 | THB8,901.00 |
| 12000 + | THB2.878 | THB8,634.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 165-7142
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- 2N7002K-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | TrenchFET Power MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 300mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Series | 2N7002K | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 0.4nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 0.35W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 1.02mm | |
| Standards/Approvals | IEC 61249-2-21, JEDEC JS709A, RoHS | |
| Width | 1.4 mm | |
| Length | 3.04mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type TrenchFET Power MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 300mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Series 2N7002K | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.4nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 0.35W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 1.02mm | ||
Standards/Approvals IEC 61249-2-21, JEDEC JS709A, RoHS | ||
Width 1.4 mm | ||
Length 3.04mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay 2N7002K Type N-Channel TrenchFET Power MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 2N7002K-T1-GE3
- onsemi 2N7002K Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 2N7002K
- onsemi 2N7002K Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay Si9407BDY Type P-Channel TrenchFET Power MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- Vishay Si4164DY Type N-Channel TrenchFET Power MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- Vishay TN2404K/TN2404KL/BS107KL Type N-Channel MOSFET 240 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P 300 mA 6-Pin SC-89-6 SI1029X-T1-GE3
- Vishay Si9407BDY Type P-Channel TrenchFET Power MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI9407BDY-T1-GE3
