Vishay Si4164DY Type N-Channel TrenchFET Power MOSFET, 30 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4164DY-T1-GE3

RS Stock No.:: 812-3198
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI4164DY-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay Si4164DY Type N-Channel TrenchFET Power MOSFET, 30 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4164DY-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB406.79

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB435.27

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 17 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 620	THB40.679	THB406.79
630 - 1240	THB39.662	THB396.62
1250 +	THB39.052	THB390.52

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 812-3198
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI4164DY-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	TrenchFET Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	30A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	SOIC
	Series	Si4164DY
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.0032Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	26.5nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	0.72V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	6W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	JEDEC JS709A, RoHS
	Length	5mm
	Height	1.55mm
	Width	4 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type TrenchFET Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 30A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type SOIC
	Series Si4164DY
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0032Ω
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 26.5nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 0.72V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 6W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals JEDEC JS709A, RoHS
	Length 5mm
	Height 1.55mm
	Width 4 mm
	Automotive Standard No

Vishay Si4164DY Type N-Channel TrenchFET Power MOSFET, 30 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4164DY-T1-GE3

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง