Vishay Isolated TrenchFET 2 Type N-Channel Power MOSFET, 7.5 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4214DDY-T1-GE3

RS Stock No.:: 710-3327
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI4214DDY-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay Isolated TrenchFET 2 Type N-Channel Power MOSFET, 7.5 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4214DDY-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB143.57

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB153.62

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 2,465 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 620	THB28.714	THB143.57
625 - 1245	THB27.994	THB139.97
1250 +	THB27.562	THB137.81

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 710-3327
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI4214DDY-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	7.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	SOIC
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	19.5mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	150°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	2W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	14.5nC
	Maximum Operating Temperature	-55°C
	Transistor Configuration	Isolated
	Width	4 mm
	Height	1.5mm
	Standards/Approvals	No
	Length	5mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 7.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type SOIC
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 19.5mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature 150°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 2W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 14.5nC
	Maximum Operating Temperature -55°C
	Transistor Configuration Isolated
	Width 4 mm
	Height 1.5mm
	Standards/Approvals No
	Length 5mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: CN

Vishay Isolated TrenchFET 2 Type N-Channel Power MOSFET, 7.5 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4214DDY-T1-GE3

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง