Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET, 4 A, 20 V Enhancement, 8-Pin 1206-8 ChipFET SI5908BDC-T1-GE3

N
ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB36.14

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB38.67

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 15 มีนาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 24THB36.14
25 - 99THB23.76
100 - 499THB12.38
500 +THB11.88

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
735-215
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SI5908BDC-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

1206-8 ChipFET

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.05Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

3.1W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±8 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.5nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

1.975 mm

Length

3.1mm

Height

1.1mm

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
DE

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง