Vishay Si2367DS Type P-Channel Power MOSFET, 3.8 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2367DS-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 812-3136
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI2367DS-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 50 ชิ้น)*
THB527.05
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB563.95
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 2,650 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 50 - 700 | THB10.541 | THB527.05 |
| 750 - 1450 | THB10.277 | THB513.85 |
| 1500 + | THB10.119 | THB505.95 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 812-3136
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI2367DS-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 3.8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Series | Si2367DS | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.066Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 9nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 8 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.7W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 1.4 mm | |
| Standards/Approvals | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| Height | 1.02mm | |
| Length | 3.04mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 3.8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Series Si2367DS | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.066Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 9nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.7W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 1.4 mm | ||
Standards/Approvals RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
Height 1.02mm | ||
Length 3.04mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Si2367DS Type P-Channel Power MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin ChipFET
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin ChipFET SI5935CDC-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel Power MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin SOT-363
- Vishay TrenchFET Type P-Channel Power MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 SIA449DJ-T1-GE3
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin TSOP
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin SC-88
