Vishay Si2367DS Type P-Channel Power MOSFET, 3.8 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2367DS-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 50 ชิ้น)*

THB612.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB655.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • 1,350 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
50 - 700THB12.24THB612.00
750 - 1450THB11.934THB596.70
1500 +THB11.75THB587.50

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
812-3136
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SI2367DS-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

3.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

Si2367DS

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.066Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

9nC

Maximum Power Dissipation Pd

1.7W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

Length

3.04mm

Height

1.02mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง