Vishay TrenchFET Type P-Channel Power MOSFET, 12 A, 30 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 SIA449DJ-T1-GE3

RS Stock No.:: 814-1213
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIA449DJ-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay TrenchFET Type P-Channel Power MOSFET, 12 A, 30 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 SIA449DJ-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB289.34

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB309.60

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

2,920 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
20 - 740	THB14.467	THB289.34
760 - 1480	THB14.106	THB282.12
1500 +	THB13.888	THB277.76

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 814-1213
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIA449DJ-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type P
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	12A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	TrenchFET
	Package Type	SOT-363
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.038Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	-0.8V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	23.1nC
	Maximum Power Dissipation Pd	19W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	12 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	2.15mm
	Height	0.8mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Width	2.15 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type P
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 12A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series TrenchFET
	Package Type SOT-363
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.038Ω
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf -0.8V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 23.1nC
	Maximum Power Dissipation Pd 19W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 12 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 2.15mm
	Height 0.8mm
	Standards/Approvals RoHS
	Width 2.15 mm
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: CN

Vishay TrenchFET Type P-Channel Power MOSFET, 12 A, 30 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 SIA449DJ-T1-GE3

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง