P-Channel MOSFET, 10.4 A, 30 V, 6-Pin SOT-363 Vishay SIA449DJ-T1-GE3

RS Stock No.:: 814-1213
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIA449DJ-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

P-Channel MOSFET, 10.4 A, 30 V, 6-Pin SOT-363 Vishay SIA449DJ-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each: (In a Pack of 20)

THB13.179

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB14.102

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

2940 มีของพร้อมจัดส่งภายใน (In stock for delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Units	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค**
20 - 740	THB13.179	THB263.58
760 - 1480	THB12.85	THB257.00
1500 +	THB12.652	THB253.04

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 814-1213
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIA449DJ-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	10.4 A
Maximum Drain Source Voltage	30 V
Series	TrenchFET
Package Type	SOT-363
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	6
Maximum Drain Source Resistance	38 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage	0.6V
Maximum Power Dissipation	19 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-12 V, +12 V
Number of Elements per Chip	1
Transistor Material	Si
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Width	2.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs	48 nC @ 10 V
Length	2.15mm
Height	0.8mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C

P-Channel MOSFET, 10.4 A, 30 V, 6-Pin SOT-363 Vishay SIA449DJ-T1-GE3

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง