Vishay Isolated TrenchFET 2 Type N-Channel Power MOSFET, 1.3 A, 20 V Enhancement, 6-Pin SC-88 SI1922EDH-T1-GE3

RS Stock No.:: 812-3091
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI1922EDH-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay Isolated TrenchFET 2 Type N-Channel Power MOSFET, 1.3 A, 20 V Enhancement, 6-Pin SC-88 SI1922EDH-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 50 ชิ้น)*

THB523.95

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB560.65

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

3,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
50 - 700	THB10.479	THB523.95
750 - 1450	THB10.217	THB510.85
1500 +	THB10.059	THB502.95

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 812-3091
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI1922EDH-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	1.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Package Type	SC-88
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	263mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	1.6nC
	Maximum Power Dissipation Pd	1.25W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	8 V
	Minimum Operating Temperature	150°C
	Maximum Operating Temperature	-55°C
	Transistor Configuration	Isolated
	Height	1mm
	Width	1.35 mm
	Standards/Approvals	No
	Length	2.2mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 1.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Package Type SC-88
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 263mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 1.6nC
	Maximum Power Dissipation Pd 1.25W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V
	Minimum Operating Temperature 150°C
	Maximum Operating Temperature -55°C
	Transistor Configuration Isolated
	Height 1mm
	Width 1.35 mm
	Standards/Approvals No
	Length 2.2mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

Vishay Isolated TrenchFET 2 Type N-Channel Power MOSFET, 1.3 A, 20 V Enhancement, 6-Pin SC-88 SI1922EDH-T1-GE3

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง