Vishay IRF9Z14 Type P-Channel Power MOSFET, -6.7 A, -60 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRF9Z14PBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB31.72

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB33.94

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 355 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
  • เพิ่มอีก 340 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 28 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 12THB31.72
13 - 24THB30.93
25 +THB30.44

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
542-9478
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRF9Z14PBF
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

-6.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-60V

Package Type

TO-220AB

Series

IRF9Z14

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

500mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

43W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

12nC

Forward Voltage Vf

-5.5V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Width

4.7mm

Length

10.41mm

Height

9.01mm

Automotive Standard

No

Vishay IRF9Z14 Series Power MOSFET, 60V Drain Source Voltage, 43W Power Dissipation - IRF9Z14PBF


This power MOSFET is a P-channel device designed for switching and amplification tasks in medium-power electronics. It operates with negative drain-source and gate-source polarities and is supplied in a TO-220AB through-hole package suited to boards requiring robust mounting and thermal interfacing. The component complies with RoHS and is intended for applications that demand defined gate control and reliable current handling within constrained thermal environments.

Features and Benefits:


• Rated for -60V drain-source voltage enabling higher-voltage P-channel designs
• Maximum continuous drain current of -6.7A supports substantial load currents
• Maximum power dissipation 43W allows sustained thermal loading
• Typical gate charge 12 nC reduces switching energy and transition losses
• Low RDS(on) 500 mΩ minimises conduction losses at operating conditions
• Tolerant operating range -55 °C to 175 °C for elevated-temperature systems

Applications


• Suitable for audio amplifier power-stage switching duties
• Ideal for discrete high-side switching in power supplies
• Used with through-hole layouts requiring firm heat-sink attachment
• Can be used for motor driver circuits needing a P-channel configuration
• Suitable for replacement in designs needing 60V P-channel devices

What is the package and mounting style for board integration?


The device is supplied in a TO-220AB package with three pins for through-hole mounting, facilitating straightforward soldered connections and mechanical stability.

How does the gate voltage limit affect control circuitry?


The maximum gate-source voltage rating is 20V, so driver circuits must keep gate swings within this limit to avoid damage.

What thermal considerations should I observe during PCB design?


With 43W maximum dissipation, designers should provide a heat sink or adequate copper area and consider thermal vias to maintain junction temperatures.

How does channel type and mode influence switching behaviour?


As a P-channel enhancement device, it requires a gate voltage more positive relative to the source to turn off and more negative relative to the source to switch on, suitable for high-side arrangements.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง