Vishay IRF9Z14 Type P-Channel Power MOSFET, -6.7 A, -60 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRF9Z14PBF
- RS Stock No.:
- 178-0838
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF9Z14PBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB1,217.90
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,303.15
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 700 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB24.358 | THB1,217.90 |
| 100 - 150 | THB23.829 | THB1,191.45 |
| 200 + | THB23.299 | THB1,164.95 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 178-0838
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF9Z14PBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -6.7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -60V | |
| Package Type | TO-220AB | |
| Series | IRF9Z14 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 500mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | -5.5V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 12nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 43W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 10.41mm | |
| Height | 9.01mm | |
| Width | 4.7mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -6.7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -60V | ||
Package Type TO-220AB | ||
Series IRF9Z14 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 500mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf -5.5V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 12nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 43W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 10.41mm | ||
Height 9.01mm | ||
Width 4.7mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
Vishay IRF9Z14 Series Power MOSFET, -60V Maximum Drain Source Voltage, -6.7A Maximum Continuous Drain Current - IRF9Z14PBF
This power MOSFET is a P‑channel enhancement device intended for switching and control in electronic systems. It is supplied in a through‑hole TO‑220AB package and is suited to applications that require a discrete transistor capable of handling moderate currents and voltages while operating across a wide temperature range.
Features and Benefits:
• -60V drain‑source rating enables high‑voltage switching
• -6.7A continuous drain current supports medium‑power loads
• 500mΩ Rds(on) reduces conduction losses under load
• 12nC typical gate charge allows reasonably fast switching
• 43W power dissipation manages thermal load in controlled environments
• 20V maximum gate‑source withstand simplifies gate‑drive design
• -6.7A continuous drain current supports medium‑power loads
• 500mΩ Rds(on) reduces conduction losses under load
• 12nC typical gate charge allows reasonably fast switching
• 43W power dissipation manages thermal load in controlled environments
• 20V maximum gate‑source withstand simplifies gate‑drive design
Applications
• Suitable for DC motor high‑side switching in automation systems
• Ideal for power control in industrial electronics modules
• Used with thermal management assemblies in mechanical drives
• Can be used for load switching in electrical distribution panels
• Ideal for power control in industrial electronics modules
• Used with thermal management assemblies in mechanical drives
• Can be used for load switching in electrical distribution panels
What temperature extremes can the device tolerate in operation?
It is rated to operate between -55°C and 175°C, allowing use in environments with wide thermal variation.
How many electrical connections does the package provide for assembly?
The through‑hole TO‑220AB format presents three pins for straightforward PCB or chassis mounting.
What gate‑drive considerations should be observed for switching?
The gate‑source maximum is 20V and the typical gate charge is 12nC, so drive circuits should limit Vgs and provide sufficient current to charge the gate at the intended switching speed.
Are there any environmental or regulatory material standards noted for the part?
The device meets RoHS requirements for restricted substances in electronic components.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay IRF9Z14 Type P-Channel Power MOSFET -60 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB
- onsemi PowerTrench Type P-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 3-Pin TO-252 FDD306P
- onsemi PowerTrench Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 FDD4243
- onsemi PowerTrench Type P-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- onsemi PowerTrench Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Vishay SQ Type P-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2361ES-T1_GE3
- Vishay SQ Type P-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay IRFU9310 Type P-Channel Power MOSFET -400 V Enhancement, 3-Pin IPAK IRFU9310PBF
