Vishay SQ Type P-Channel Power MOSFET, 2.8 A, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2361ES-T1_GE3
- RS Stock No.:
- 152-6376
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQ2361ES-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*
THB398.30
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB426.175
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- เพิ่มอีก 125 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
- 32,950 ชิ้นสุดท้ายส่งจากวันที่ 05 มกราคม 2569
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 25 - 725 | THB15.932 | THB398.30 |
| 750 - 1475 | THB15.534 | THB388.35 |
| 1500 + | THB15.294 | THB382.35 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 152-6376
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQ2361ES-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 2.8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Series | SQ | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.177Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 12nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 | |
| Height | 1.02mm | |
| Length | 3.04mm | |
| Width | 1.4 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 2.8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Series SQ | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.177Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 12nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals AEC-Q101 | ||
Height 1.02mm | ||
Length 3.04mm | ||
Width 1.4 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
TrenchFET® power MOSFET
Material categorization
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SQ Type P-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay SQ Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay SQ Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2309CES-T1_GE3
- Vishay SQ Rugged Type P-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay SQ Rugged Type P-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2315ES-T1_GE3
- Vishay Si2367DS Type P-Channel Power MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2367DS-T1-GE3
- Vishay Si2367DS Type P-Channel Power MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay SQ Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2348CES-T1_GE3
