Vishay IRFP9240 Type P-Channel Power MOSFET, -12 A, -200 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC IRFP9240PBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB101.51

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB108.62

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 302 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 24 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
  • เพิ่มอีก 649 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 31 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 6THB101.51
7 - 12THB98.98
13 +THB97.45

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
541-0862
Distrelec หมายเลขบทความ:
171-16-981
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRFP9240PBF
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

-12A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-200V

Series

IRFP9240

Package Type

TO-247AC

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

500mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

-5V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

44nC

Maximum Power Dissipation Pd

150W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

15.87mm

Height

20.7mm

Width

5.31mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Vishay IRFP9240 Series Power MOSFET, 150W Maximum Power Dissipation, -200V Maximum Drain Source Voltage - IRFP9240PBF


This power MOSFET is a high-voltage P‑channel switching transistor designed for power-management and high-voltage applications. It operates across a wide ambient range and is supplied in a through‑hole package suitable for robust board mounting. The device is intended for circuits requiring substantial power handling and P‑channel topology for high-side switching or polarity-specific arrangements.

Features and Benefits:


• -200V drain‑source rating enables high-voltage switching capability
• P‑channel enhancement mode simplifies high-side switching arrangements
• -12A continuous drain current supports moderate high-current loads
• 150W power dissipation allows sustained power handling
• 500mΩ maximum Rds(on) reduces conduction losses under load
• 44nC typical gate charge yields predictable gate-drive requirements

Applications


• Suitable for high-voltage power rails and polarity protection
• Ideal for high-side switches in DC distribution systems
• Used with gate drivers requiring moderate charge handling
• Can be used for industrial power modules and supplies
• Appropriate for discrete power stages in converters

What mounting style does it require for thermal management?


It is supplied in a TO‑247AC through‑hole package intended for heatsinking on a chassis or dedicated sinks to dissipate heat effectively.

What gate-drive voltage constraints must I observe?


The maximum gate‑source voltage is 20V, so gate drivers should be limited within that range to avoid gate overstress.

How does temperature affect operating limits?


It is specified to function from -55°C up to 150°C, so derating and thermal design should account for elevated junction temperatures.

How many electrical connections are presented for circuit integration?


The device has three pins for drain, gate and source connection, consistent with standard discrete MOSFET implementations.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง