Vishay IRFP9240 Type P-Channel Power MOSFET, -12 A, -200 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC IRFP9240PBF
- RS Stock No.:
- 541-0862
- Distrelec หมายเลขบทความ:
- 171-16-981
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFP9240PBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB101.51
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB108.62
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 302 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 24 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
- เพิ่มอีก 649 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 31 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 6 | THB101.51 |
| 7 - 12 | THB98.98 |
| 13 + | THB97.45 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 541-0862
- Distrelec หมายเลขบทความ:
- 171-16-981
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFP9240PBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -12A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -200V | |
| Series | IRFP9240 | |
| Package Type | TO-247AC | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 500mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | -5V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 44nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 150W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 15.87mm | |
| Height | 20.7mm | |
| Width | 5.31mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -12A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -200V | ||
Series IRFP9240 | ||
Package Type TO-247AC | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 500mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf -5V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 44nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 150W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 15.87mm | ||
Height 20.7mm | ||
Width 5.31mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
Vishay IRFP9240 Series Power MOSFET, 150W Maximum Power Dissipation, -200V Maximum Drain Source Voltage - IRFP9240PBF
This power MOSFET is a high-voltage P‑channel switching transistor designed for power-management and high-voltage applications. It operates across a wide ambient range and is supplied in a through‑hole package suitable for robust board mounting. The device is intended for circuits requiring substantial power handling and P‑channel topology for high-side switching or polarity-specific arrangements.
Features and Benefits:
• -200V drain‑source rating enables high-voltage switching capability
• P‑channel enhancement mode simplifies high-side switching arrangements
• -12A continuous drain current supports moderate high-current loads
• 150W power dissipation allows sustained power handling
• 500mΩ maximum Rds(on) reduces conduction losses under load
• 44nC typical gate charge yields predictable gate-drive requirements
• P‑channel enhancement mode simplifies high-side switching arrangements
• -12A continuous drain current supports moderate high-current loads
• 150W power dissipation allows sustained power handling
• 500mΩ maximum Rds(on) reduces conduction losses under load
• 44nC typical gate charge yields predictable gate-drive requirements
Applications
• Suitable for high-voltage power rails and polarity protection
• Ideal for high-side switches in DC distribution systems
• Used with gate drivers requiring moderate charge handling
• Can be used for industrial power modules and supplies
• Appropriate for discrete power stages in converters
• Ideal for high-side switches in DC distribution systems
• Used with gate drivers requiring moderate charge handling
• Can be used for industrial power modules and supplies
• Appropriate for discrete power stages in converters
What mounting style does it require for thermal management?
It is supplied in a TO‑247AC through‑hole package intended for heatsinking on a chassis or dedicated sinks to dissipate heat effectively.
What gate-drive voltage constraints must I observe?
The maximum gate‑source voltage is 20V, so gate drivers should be limited within that range to avoid gate overstress.
How does temperature affect operating limits?
It is specified to function from -55°C up to 150°C, so derating and thermal design should account for elevated junction temperatures.
How many electrical connections are presented for circuit integration?
The device has three pins for drain, gate and source connection, consistent with standard discrete MOSFET implementations.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay IRFP9240 Type P-Channel Power MOSFET -200 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC IRFP9240PBF
- Vishay IRF9530S Type P-Channel Power MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF9530SPBF
- Vishay TrenchFET Type P-Channel Power MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 SIA449DJ-T1-GE3
- Infineon HEXFET Type N-Channel Power MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC
- Vishay EF Type N-Channel Power MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC
- Vishay E Type N-Channel Power MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC SIHG17N80AE-GE3
- Vishay E Type N-Channel Power MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC SIHG15N80AE-GE3
- Vishay EF Type N-Channel Power MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC SIHG085N60EF-GE3
