Vishay IRFR320 Type N-Channel Power MOSFET, 3.1 A, 400 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR320TRPBF
- RS Stock No.:
- 812-0626
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFR320TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB280.67
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB300.32
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 1,950 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 22 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 490 | THB28.067 | THB280.67 |
| 500 - 990 | THB27.365 | THB273.65 |
| 1000 + | THB26.944 | THB269.44 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 812-0626
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFR320TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 3.1A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 400V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | IRFR320 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.8Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 42W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 20nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Width | 6.22mm | |
| Height | 2.38mm | |
| Length | 6.73mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 3.1A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 400V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series IRFR320 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.8Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 42W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 20nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Width 6.22mm | ||
Height 2.38mm | ||
Length 6.73mm | ||
Automotive Standard No | ||
Vishay IRFR320 Series Power MOSFET, 400V Drain-Source Voltage, 3.1A Continuous Drain Current - IRFR320TRPBF
This power MOSFET is a high-voltage N-channel device designed for switching and amplification tasks in industrial electronics. It operates as an enhancement-mode transistor suited to surface-mount assemblies and supports demanding electrical environments where controlled high-voltage switching is required.
Features and Benefits:
• 400V drain rating enables high-voltage switching applications • 3.1A continuous drain capacity supports moderate current loads • 1.8Ω low Rds(on) minimises conduction losses at rated conditions • 20nC typical gate charge allows predictable switching dynamics • 42W maximum power dissipation permits significant thermal loading • -55°C to 150°C operating range ensures wide temperature resilience
Applications
• Suitable for flyback and forward converters in power supplies • Ideal for industrial motor control stages with high-voltage rails • Used for high-voltage lighting and ballast switching circuits • Can be used for protection circuits requiring robust blocking voltage
What package type should I expect for surface mounting?
The device is supplied in a TO-252 package configured for solder-down mounting to a PCB and thermal plane.
What gate voltage limits must I observe during design?
Gate excursions must remain within ±20V relative to the source to avoid exceeding the gate-source rating.
How should thermal management be approached on a board?
Use adequate copper area and thermal vias under the TO-252 land to dissipate up to the stated 42W power, considering derating for ambient temperature and airflow.
What atmosphere and approval considerations apply for procurement?
The component conforms to RoHS material restrictions for lead‑free system integration.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay IRFR320 Type N-Channel Power MOSFET 400 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- DiodesZetex Full Bridge 4 Type P 3.1 A 8-Pin
- DiodesZetex Full Bridge 4 Type P 3.1 A 8-Pin ZXMHC3A01T8TA
- Vishay D Series Type N-Channel Power MOSFET 400 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB SIHP6N40D-GE3
- Vishay D Series Type N-Channel Power MOSFET 400 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay IRFBG Type N-Channel MOSFET 1 kV Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFBG30PBF
- Texas Instruments FemtoFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin PICOSTAR CSD17381F4T
