Vishay Type N-Channel MOSFET, 430 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK (8x8LR)

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*

THB164,016.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB175,498.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
2000 - 4000THB82.008THB164,016.00
6000 +THB76.267THB152,534.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
252-0311
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SQJQ184E-T1_GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

430A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

PowerPAK (8x8LR)

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0014mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

43nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

214W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Width

4.9 mm

Length

6.15mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay automotive MOSFETs are manufactured on a dedicated process flow to in still ruggedness. Rated for a maximum junction temperature of 175 °C, the vishay siliconix AEC-Q101 qualified SQ series features low on-resistance n- and p-channel trench FET technologies in lead (Pb)- and halogen-free SO packages.

TrenchFET power MOSFET

AEC-Q101 qualified

100 % Rg and UIS tested

Thin 1.9 mm height

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง