Vishay Type N-Channel MOSFET, 430 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK (8x8LR) SQJQ184E-T1_GE3
- RS Stock No.:
- 252-0312
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJQ184E-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB302.82
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB324.02
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
กำลังจะเลิกผลิต
- 694 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | THB151.41 | THB302.82 |
| 50 - 98 | THB146.41 | THB292.82 |
| 100 - 248 | THB141.575 | THB283.15 |
| 250 - 998 | THB136.895 | THB273.79 |
| 1000 + | THB132.375 | THB264.75 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 252-0312
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJQ184E-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 430A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Package Type | PowerPAK (8x8LR) | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0014mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 43nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 214W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 6.15mm | |
| Width | 4.9 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 430A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Package Type PowerPAK (8x8LR) | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0014mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 43nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 214W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 6.15mm | ||
Width 4.9 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Vishay automotive MOSFETs are manufactured on a dedicated process flow to in still ruggedness. Rated for a maximum junction temperature of 175 °C, the vishay siliconix AEC-Q101 qualified SQ series features low on-resistance n- and p-channel trench FET technologies in lead (Pb)- and halogen-free SO packages.
TrenchFET power MOSFET
AEC-Q101 qualified
100 % Rg and UIS tested
Thin 1.9 mm height
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK (8x8LR)
- Vishay SQJQ184ER Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK (8x8LR) SQJQ184ER-T1_GE3
- Vishay SQJQ184ER Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK (8x8LR)
- Vishay SQJQ186ER Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK (8x8LR) SQJQ186ER-T1_GE3
- Vishay SQJQ186ER Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK (8x8LR)
- Vishay N-Channel 40 V Type N-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin PowerPAK (8x8LR) SQJQ144AER-T1_GE3
- Vishay N-Channel 40 V Type N-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin PowerPAK (8x8LR) SQJQ148ER-T1_GE3
- Vishay N-Channel 40 V Type N-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin PowerPAK (8x8LR)