Vishay SIHP Type N-Channel MOSFET, 21 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB SIHP155N60EF-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB300.33

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB321.354

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 996 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 22 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
2 - 8THB150.165THB300.33
10 - 28THB147.02THB294.04
30 - 98THB143.875THB287.75
100 +THB141.255THB282.51

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
279-9927
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIHP155N60EF-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

21A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-220AB

Series

SIHP

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.157Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

179W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

38nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Vishay SIHP Series MOSFET, 600V Drain Source Voltage, 21A Continuous Drain Current - SIHP155N60EF-GE3


This MOSFET is a high-voltage, N-channel transistor designed for power switching in industrial and electronic control environments. It operates as an enhancement-mode device in a through-hole TO-220 package, providing robust power handling for applications requiring substantial drain-source voltage and thermal endurance.

Features and Benefits:


• 600V drain-source rating enables high-voltage switching capability
• 21 A continuous drain current supports elevated load currents
• 0.157 Ω low Rds(on) reduces conduction losses
• 179W power dissipation allows sustained power handling
• 38 nC typical gate charge permits predictable switching behaviour
• -55 °C to 150 °C operating range suits harsh-temperature conditions

Applications


• Suitable for high-voltage power supplies and converters
• Ideal for motor drive circuits in industrial automation
• Used for switch-mode power electronics in lighting control
• Can be used for inverter stages in industrial equipment
• Used with thermal management systems in power assemblies

What gate drive considerations are required for reliable switching?


The gate tolerance is ±30V maximum, so gate drivers should respect this limit and provide sufficient drive current to charge the 38 nC typical gate charge for controlled switching speeds.

How should thermal management be arranged for continuous operation?


With 179W maximum power dissipation and TO-220 mounting, secure the device to an appropriate heatsink and ensure adequate airflow to maintain junction temperatures within the -55 °C to 150 °C operating range.

What electrical limits must be observed during design?


The transistor must not be subjected to drain-source voltages above 600V or continuous drain currents above 21 A to avoid exceeding device ratings.

Which package and mounting style does the device use for PCB or chassis integration?


It is supplied in a through-hole TO-220AB package with three pins, allowing secure chassis mounting and straightforward replacement in legacy designs.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง