Vishay Single EF 1 Type N-Channel Power MOSFET, 21 A, 600 V, 3-Pin TO-220AB

RS Stock No.:: 180-7349
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHP21N60EF-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay Single EF 1 Type N-Channel Power MOSFET, 21 A, 600 V, 3-Pin TO-220AB

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB4,705.45

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB5,034.85

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 15 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
50 - 50	THB94.109	THB4,705.45
100 - 150	THB92.063	THB4,603.15
200 +	THB90.017	THB4,500.85

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 180-7349
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHP21N60EF-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	21A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Series	EF
	Package Type	TO-220AB
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.176Ω
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	84nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±30 V
	Maximum Power Dissipation Pd	227W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Transistor Configuration	Single
	Width	10.52 mm
	Standards/Approvals	No
	Length	14.4mm
	Height	6.71mm
	Number of Elements per Chip	1
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 21A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Series EF
	Package Type TO-220AB
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.176Ω
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 84nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±30 V
	Maximum Power Dissipation Pd 227W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Transistor Configuration Single
	Width 10.52 mm
	Standards/Approvals No
	Length 14.4mm
	Height 6.71mm
	Number of Elements per Chip 1
	Automotive Standard No

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

The Vishay SIHP21N60EF is a N-channel EF series power MOSFET with fast body diode having drain to source voltage(Vds) of 600V and gate to source voltage (VGS) 30V. It is having TO-220AB package. It is offers drain to source resistance (RDS.) of 0.176ohms at 10VGS. Maximum drain current 21A.

Fast body diode MOSFET using E series technology

Reduced trr, Qrr, and IRRM

Low figure-of-merit (FOM): Ron x Qg

Vishay Single EF 1 Type N-Channel Power MOSFET, 21 A, 600 V, 3-Pin TO-220AB

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง