Vishay EF Type N-Channel Power MOSFET, 25 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB346,404.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB370,653.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 30 พฤศจิกายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
3000 - 3000THB115.468THB346,404.00
6000 - 9000THB112.004THB336,012.00
12000 +THB108.644THB325,932.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
204-7245
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIHB125N60EF-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

25A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

EF

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

125mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

31nC

Maximum Power Dissipation Pd

179W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

4.06mm

Standards/Approvals

RoHS

Width

9.65mm

Length

14.61mm

Automotive Standard

No

Vishay Series EF Power MOSFET, 600V Drain Source Voltage, 25A Continuous Drain Current - SIHB125N60EF-GE3


This power MOSFET is a high-voltage N-channel semiconductor device designed for switching and power-conversion roles in industrial electronics. It is intended for surface-mount use on power assemblies where robust voltage handling and elevated temperature tolerance are required, supporting applications that switch high voltages and substantial currents in automation and electrical systems.

Features and Benefits:


• 600V drain rating enables high-voltage switching capability • 25A continuous drain current supports substantial load currents • 125mΩ Rds(on) reduces conduction losses under load • 31nC typical gate charge minimises drive energy requirements • 179W power dissipation allows sustained power handling • 150°C maximum operating temperature supports high-temperature environments

Applications


• Suitable for high-voltage inverter stages in industrial drives • Ideal for power supplies requiring high breakdown voltage • Used with motor controllers handling tens of amperes • Can be used for relay replacement in solid-state switching • Used for power conversion in automation equipment

What gate voltage range is safe for switching the device?


The device accepts gate voltages up to 30V, specifying the maximum permissible gate-to-source potential for reliable operation.

How does package choice affect thermal performance?


The TO-263 package offers a large thermal pad and leads for heat conduction, aiding heat transfer to PCB copper and heatsinks to support the rated power dissipation.

What are the environmental limits for operation?


The component is specified to operate down to -55°C and up to 150°C, defining the allowable ambient and junction extremes for design margins.

How many pins are available for PCB layout considerations?


The part uses three pins, which determines footprint and connection arrangements for drain, source and gate on the PCB.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง