Vishay SiHB125N60EF Type N-Channel MOSFET, 25 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- RS Stock No.:
- 204-7245
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHB125N60EF-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB346,404.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB370,653.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 11 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB115.468 | THB346,404.00 |
| 6000 - 9000 | THB112.004 | THB336,012.00 |
| 12000 + | THB108.644 | THB325,932.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 204-7245
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHB125N60EF-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 25A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | SiHB125N60EF | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 125mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 179W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 31nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 9.65 mm | |
| Length | 14.61mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 4.06mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 25A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series SiHB125N60EF | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 125mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 179W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 31nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 9.65 mm | ||
Length 14.61mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 4.06mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode has a 4th generation E series technology. It has reduced switching and conduction losses.
Avalanche energy rated (UIS)
Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SiHB125N60EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB125N60EF-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SIHH26N60E-T1-GE3
- Infineon IPB60R Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon IPB60R Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB60R090CFD7ATMA1
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Vishay SIHB Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Vishay SiHB22N60EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263