N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V, 3-Pin D2PAK Vishay SIHB30N60E-GE3

RS Stock No.:: 145-1820
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHB30N60E-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V, 3-Pin D2PAK Vishay SIHB30N60E-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each (In a Tube of 50)

THB143.118

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB153.136

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

539 มีของพร้อมจัดส่งภายใน (In stock for delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Units	ต่อหน่วย	Per Tube**
50 - 50	THB143.118	THB7,155.90
100 - 150	THB140.006	THB7,000.30
200 +	THB136.895	THB6,844.75

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 145-1820
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHB30N60E-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	29 A
Maximum Drain Source Voltage	600 V
Package Type	D2PAK (TO-263)
Series	E Series
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	125 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Maximum Power Dissipation	250 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs	85 nC @ 10 V
Width	9.65mm
Number of Elements per Chip	1
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Transistor Material	Si
Length	10.67mm
Height	4.83mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C

N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V, 3-Pin D2PAK Vishay SIHB30N60E-GE3

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

N-Channel MOSFET, E Series, Low Figure-of-Merit, Vishay Semiconductor

Features

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง