Vishay E Type N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263

RS Stock No.:: 145-1820
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHB30N60E-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB7,429.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB7,949.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

650 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
50 - 50	THB148.59	THB7,429.50
100 - 150	THB145.359	THB7,267.95
200 +	THB142.129	THB7,106.45

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 145-1820
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHB30N60E-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	29A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Series	E
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	125mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	85nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	250W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Width	9.65 mm
	Height	4.83mm
	Length	10.67mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 29A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Series E
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 125mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 85nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 250W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Width 9.65 mm
	Height 4.83mm
	Length 10.67mm
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: CN

N-Channel MOSFET, E Series, Low Figure-of-Merit, Vishay Semiconductor

The E Series Power MOSFETs from Vishay are high-voltage transistors featuring ultra-low maximum on-resistance, low figure of merit and fast switching. They are available in a wide range of current ratings. Typical applications include servers and telecom power supplies, LED lighting, flyback converters, power factor correction (PFC) and switch mode power supplies (SMPS).

Features

Low figure-of-merit (FOM) RDS(on) x Qg

Low input capacitance (Ciss)

Low on-resistance (RDS(on))

Ultra-low gate charge (Qg)

Fast switching

Reduced switching and conduction losses

Vishay E Type N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

N-Channel MOSFET, E Series, Low Figure-of-Merit, Vishay Semiconductor

Features

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง