Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 142 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL BSZ0901NSIATMA1
- RS Stock No.:
- 273-5245
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSZ0901NSIATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*
THB184,040.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB196,925.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 27 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 5000 + | THB36.808 | THB184,040.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-5245
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSZ0901NSIATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 142A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | OptiMOS | |
| Package Type | PG-TSDSON-8FL | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.1mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 41nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 69W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 142A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series OptiMOS | ||
Package Type PG-TSDSON-8FL | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.1mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 41nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 69W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon MOSFET is a N channel power MOSFET. This MOSFET has an integrated monolithic schottky like diode. It is qualified according to JEDEC for target applications and it is 100 percent avalanche tested. Optimized SyncFET for high performance buck converter.
Halogen free
RoHS compliant
Pb free lead plating
Very low on resistance
Superior thermal resistance
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL BSZ0902NSATMA1
- Infineon OptiMOS Power Transistor Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL ISZ810P06LMATMA1
- Infineon ISZ Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL
- Infineon ISZ Type N-Channel OptiMOSTM Power-MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL
- Infineon ISZ Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL ISZ019N03L5SATMA1
- Infineon ISZ Type N-Channel OptiMOSTM Power-MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL ISZ040N03L5ISATMA1