Infineon ISZ Type N-Channel OptiMOSTM Power-MOSFET, 40 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL ISZ040N03L5ISATMA1
- RS Stock No.:
- 273-3043
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- ISZ040N03L5ISATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*
THB45,475.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB48,660.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 5,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 5000 + | THB9.095 | THB45,475.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-3043
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- ISZ040N03L5ISATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | OptiMOSTM Power-MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 40A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | ISZ | |
| Package Type | PG-TSDSON-8FL | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 37W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 17nC | |
| Forward Voltage Vf | 0.7V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS, JEDEC, IEC61249‑2‑21 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type OptiMOSTM Power-MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 40A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series ISZ | ||
Package Type PG-TSDSON-8FL | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 37W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 17nC | ||
Forward Voltage Vf 0.7V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS, JEDEC, IEC61249‑2‑21 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon low voltage power MOSFETs offering broad accessibility and competitive price/performance ratio.
Enables cost effective solutions
Fast shipment
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon ISZ Type N-Channel OptiMOSTM Power-MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL
- Infineon ISZ Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL
- Infineon ISZ Type N-Channel Power Transistor 200 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL ISZ520N20NM6ATMA1
- Infineon ISZ Type N-Channel Power Transistor 135 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL ISZ143N13NM6ATMA1
- Infineon ISZ Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL ISZ019N03L5SATMA1
- Infineon ISZ Type N-Channel Power Transistor 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8 ISZ028N03LF2SATMA1
- Infineon ISZ Type N-Channel Power Transistor 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8 ISZ033N03LF2SATMA1
- Infineon ISZ Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8 ISZ113N10NM5LF2ATMA1