Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET, 142 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL BSZ0901NSIATMA1
- RS Stock No.:
- 273-5246
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSZ0901NSIATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB300.70
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB321.75
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 95 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | THB60.14 | THB300.70 |
| 50 - 495 | THB50.116 | THB250.58 |
| 500 - 995 | THB42.984 | THB214.92 |
| 1000 - 2495 | THB42.214 | THB211.07 |
| 2500 + | THB41.444 | THB207.22 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-5246
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSZ0901NSIATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 142A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | PG-TSDSON-8FL | |
| Series | OptiMOS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.1mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 69W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 41nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 142A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type PG-TSDSON-8FL | ||
Series OptiMOS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.1mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 69W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 41nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon MOSFET is a N channel power MOSFET. This MOSFET has an integrated monolithic schottky like diode. It is qualified according to JEDEC for target applications and it is 100 percent avalanche tested. Optimized SyncFET for high performance buck converter.
Halogen free
RoHS compliant
Pb free lead plating
Very low on resistance
Superior thermal resistance
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL BSZ0901NSIATMA1
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL BSZ0902NSATMA1
- Infineon ISZ N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL
- Infineon ISZ N-Channel OptiMOSTM Power-MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL
- Infineon OptiMOS Power Transistor Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL ISZ810P06LMATMA1
- Infineon ISZ N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL ISZ019N03L5SATMA1
- Infineon ISZ N-Channel OptiMOSTM Power-MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL ISZ040N03L5ISATMA1