Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 106 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL BSZ0902NSATMA1
- RS Stock No.:
- 273-5247
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSZ0902NSATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*
THB68,880.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB73,700.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 20 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 5000 + | THB13.776 | THB68,880.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-5247
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSZ0902NSATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 106A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | OptiMOS | |
| Package Type | PG-TSDSON-8FL | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 26nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 48W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 106A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series OptiMOS | ||
Package Type PG-TSDSON-8FL | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 26nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 48W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon MOSFET is a N channel power MOSFET. This MOSFET has an excellent gate charge. It is qualified according to JEDEC for target applications and it is 100 percent avalanche tested. It is a optimized for high performance buck converter.
Halogen free
RoHS compliant
Pb free lead plating
Very low on resistance
Superior thermal resistance
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL BSZ0901NSIATMA1
- Infineon OptiMOS Power Transistor Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL ISZ810P06LMATMA1
- Infineon ISZ Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL
- Infineon ISZ Type N-Channel OptiMOSTM Power-MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL
- Infineon ISZ Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL ISZ019N03L5SATMA1
- Infineon ISZ Type N-Channel OptiMOSTM Power-MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL ISZ040N03L5ISATMA1