Infineon ISZ Type N-Channel Power Transistor, 54 A, 135 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL ISZ143N13NM6ATMA1

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB517.08

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB553.275

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 4,980 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
5 - 45THB103.416THB517.08
50 - 95THB98.27THB491.35
100 +THB91.044THB455.22

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
349-155
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
ISZ143N13NM6ATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

Power Transistor

Maximum Continuous Drain Current Id

54A

Maximum Drain Source Voltage Vds

135V

Series

ISZ

Package Type

PG-TSDSON-8FL

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

14.3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Power Dissipation Pd

95W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

21nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

IEC61249‑2‑21, JEDEC, J-STD-020, RoHS

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The Infineon OptiMOS 6 power MOSFET 135 V Normal Level in PQFN 3.3x3.3 package. OptiMOS 6 135 V targets high power motor drive applications such as LEVs, e-forklifts, power and gardening tools, but also UPS applications which predominantly use 72 to 84 V batteries. This product effectively bridges the gap between the 120 V and 150 V MOSFETs and provides significant improvements in RDS(on) and cost, helping improve the system efficiency.

System cost reduction

Less paralleling required

Reduced VDS overshoot and switching losses

Higher power density designs

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง