Infineon ISZ Type N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL
- RS Stock No.:
- 273-5359
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- ISZ019N03L5SATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB236.27
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB252.81
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 90 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | THB47.254 | THB236.27 |
| 50 - 495 | THB39.326 | THB196.63 |
| 500 - 995 | THB33.776 | THB168.88 |
| 1000 - 2495 | THB33.14 | THB165.70 |
| 2500 + | THB32.504 | THB162.52 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-5359
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- ISZ019N03L5SATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 40A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | ISZ | |
| Package Type | PG-TSDSON-8FL | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.9mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 44nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | IEC61249-2-21, JEDEC Standard, RoHS | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 40A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series ISZ | ||
Package Type PG-TSDSON-8FL | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.9mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 44nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals IEC61249-2-21, JEDEC Standard, RoHS | ||
The Infineon Power MOSFET is an optimized for high performance buck converter. This power MOSFET has an excellent gate charge. It has very low on resistance and qualified according to JEDEC standard.
Halogen free
RoHS compliant
Pb free lead plating
Superior thermal resistance
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon ISZ Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL ISZ019N03L5SATMA1
- Infineon ISZ Type N-Channel OptiMOSTM Power-MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL
- Infineon ISZ Type N-Channel OptiMOSTM Power-MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL ISZ040N03L5ISATMA1
- Infineon ISZ Type N-Channel Power Transistor 200 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL ISZ520N20NM6ATMA1
- Infineon ISZ Type N-Channel Power Transistor 135 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL ISZ143N13NM6ATMA1
- Infineon ISZ Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8 ISZ113N10NM5LF2ATMA1
- Infineon ISZ Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8 ISZ056N03LF2SATMA1
- Infineon ISZ Type N-Channel Power Transistor 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8 ISZ028N03LF2SATMA1