Vishay SIS9634LDN 4 Dual N-Channel MOSFET, 6 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SIS9634LDN-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 268-8345
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIS9634LDN-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB257.84
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB275.89
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 6,010 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | THB51.568 | THB257.84 |
| 50 - 95 | THB46.17 | THB230.85 |
| 100 - 245 | THB35.952 | THB179.76 |
| 250 - 995 | THB35.278 | THB176.39 |
| 1000 + | THB24.384 | THB121.92 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 268-8345
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIS9634LDN-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Dual N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | PowerPAK 1212-8 | |
| Series | SIS9634LDN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 60 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS, UIS tested 100 percent | |
| Number of Elements per Chip | 4 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Dual N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type PowerPAK 1212-8 | ||
Series SIS9634LDN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 60 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS, UIS tested 100 percent | ||
Number of Elements per Chip 4 | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Vishay dual N channel TrenchFET 4 generation power MOSFET that is fully lead pb and halogen free device. It is optimized and ratio reduces switching related power loss and it is used in applications such as synchronous rectification, motor drive contr
ROHS compliant
UIS tested 100 percent
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SIS9634LDN 4 Dual N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SIS9634LDN-T1-GE3
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type P 4 A 8-Pin PowerPAK 1212-8 Dual
- Vishay Dual N Channel Mosfet TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay SiS892ADN Type N-Channel Power MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- Vishay SIS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SIS112LDN-T1-GE3
- Vishay SIS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SIS184LDN-T1-GE3
- Vishay SiS892ADN Type N-Channel Power MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SIS892ADN-T1-GE3
- Vishay Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8
