Vishay SiS892ADN Type N-Channel Power MOSFET, 28 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- RS Stock No.:
- 165-6981
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIS892ADN-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB56,667.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB60,633.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB18.889 | THB56,667.00 |
| 6000 - 9000 | THB18.322 | THB54,966.00 |
| 12000 + | THB17.773 | THB53,319.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 165-6981
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIS892ADN-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 28A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | PowerPAK 1212-8 | |
| Series | SiS892ADN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.033Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 6.1nC | |
| Forward Voltage Vf | 0.8V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 52W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 3.4 mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 3.4mm | |
| Height | 1.12mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 28A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type PowerPAK 1212-8 | ||
Series SiS892ADN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.033Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.1nC | ||
Forward Voltage Vf 0.8V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 52W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 3.4 mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 3.4mm | ||
Height 1.12mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SiS892ADN Type N-Channel Power MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SIS892ADN-T1-GE3
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type P 4 A 8-Pin PowerPAK 1212-8 Dual
- Vishay SIS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SIS112LDN-T1-GE3
- Vishay SIS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SIS184LDN-T1-GE3
- Vishay Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- Vishay Si7615ADN Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- Vishay Type N-Channel MOSFET 60 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- Vishay TrenchFET Gen III Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8