Vishay Dual TrenchFET 2 Type P, Type N-Channel MOSFET, 4 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Dual

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
228-2924
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SiS590DN-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type P, Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK 1212-8 Dual

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.251Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

4.5nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

23.1W

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Dual

Standards/Approvals

RoHS

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

The Vishay Combo N- & P-Channel -100 V MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง