Vishay SIS Type N-Channel MOSFET, 8.8 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SIS112LDN-T1-GE3

RS Stock No.:: 268-8339
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIS112LDN-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay SIS Type N-Channel MOSFET, 8.8 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SIS112LDN-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB28,569.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB30,570.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

6,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
3000 +	THB9.523	THB28,569.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	8.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	PowerPAK 1212-8
	Series	SIS
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.119Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	11.8nC
	Maximum Power Dissipation Pd	19.8W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Length	3.3mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 8.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type PowerPAK 1212-8
	Series SIS
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.119Ω
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 11.8nC
	Maximum Power Dissipation Pd 19.8W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Length 3.3mm
	Automotive Standard No

Vishay SIS Type N-Channel MOSFET, 8.8 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SIS112LDN-T1-GE3

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง