Vishay Dual SiSF06DN 2 Type N-Channel MOSFET, 101 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISF06DN-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 204-7260
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SISF06DN-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*
THB611.42
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB654.22
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 10 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 20 - 740 | THB30.571 | THB611.42 |
| 760 - 1480 | THB29.807 | THB596.14 |
| 1500 + | THB29.349 | THB586.98 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 204-7260
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SISF06DN-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 101A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | PowerPAK 1212 | |
| Series | SiSF06DN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0045Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 30nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 69.4W | |
| Transistor Configuration | Dual | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 3.3mm | |
| Width | 3.3 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 0.73mm | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 101A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type PowerPAK 1212 | ||
Series SiSF06DN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0045Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 30nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 69.4W | ||
Transistor Configuration Dual | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 3.3mm | ||
Width 3.3 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 0.73mm | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard No | ||
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Dual SiSF06DN 2 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay Dual N Channel Mosfet TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type P 4 A 8-Pin PowerPAK 1212-8 Dual
- Vishay Common Drain TrenchFET Gen IV 2 Type N-Channel Power MOSFET 25 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay Common Drain TrenchFET Gen IV 2 Type N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay Type N-Channel MOSFET -40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW
- Vishay Type N-Channel MOSFET -40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW SQS141ELNW-T1_GE3
- Vishay SIS9634LDN 4 Dual N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SIS9634LDN-T1-GE3