Vishay E Type N-Channel MOSFET, 5 A, 850 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SiHP6N80AE-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB254.70

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB272.55

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
สต็อกสุดท้ายของ RS
  • 860 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
5 - 5THB50.94THB254.70
10 - 20THB49.666THB248.33
25 - 95THB48.424THB242.12
100 - 245THB47.212THB236.06
250 +THB46.034THB230.17

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
228-2881
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SiHP6N80AE-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

850V

Package Type

TO-220

Series

E

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

950mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

15nC

Maximum Power Dissipation Pd

62.5W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET reduced switching and conduction losses.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง