Infineon IPD N-Channel MOSFET, 207 A, 600 V N HDSOP IPDQ60R040S7XTMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
260-1202
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPDQ60R040S7XTMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

207A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

HDSOP

Series

IPD

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

40mΩ

Channel Mode

N

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Forward Voltage Vf

0.82V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

83nC

Maximum Power Dissipation Pd

272W

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

2.35mm

Width

15.5mm

Standards/Approvals

RoHS

Length

15.1mm

Automotive Standard

No

The Infineon MOSFET enables the best price performance for low frequency switching applications. CoolMOS S7 boasts the lowest Rdson values for a HV SJ MOSFET, with distinctive increase of energy efficiency. CoolMOS S7 is optimized for “static switching” and high current applications. It is an ideal fit for solid state relay and circuit breaker designs as well as for line rectification in SMPS and inverter topologies.

High pulse current capability

Increased system performance

More compact and easier design

Lower BOM or/and TCO over prolonged life time

Shock & vibration resistance

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง