Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 126 A, 600 V N HDSOP IPDQ60R065S7XTMA1
- RS Stock No.:
- 260-1204
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPDQ60R065S7XTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB148.21
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB158.58
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 748 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB148.21 |
| 10 - 99 | THB133.33 |
| 100 - 249 | THB120.09 |
| 250 - 499 | THB108.04 |
| 500 + | THB97.18 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 260-1204
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPDQ60R065S7XTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 126A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | IPD | |
| Package Type | HDSOP | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 65mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 195W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 51nC | |
| Forward Voltage Vf | 0.82V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 15.1 mm | |
| Height | 2.35mm | |
| Length | 15.5mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 126A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series IPD | ||
Package Type HDSOP | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 65mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 195W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 51nC | ||
Forward Voltage Vf 0.82V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 15.1 mm | ||
Height 2.35mm | ||
Length 15.5mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon MOSFET enables the best price performance for low frequency switching applications. CoolMOS S7 boasts the lowest Rdson values for a HV SJ MOSFET, with distinctive increase of energy efficiency. CoolMOS S7 is optimized for “static switching” and high current applications. It is an ideal fit for solid state relay and circuit breaker designs as well as for line rectification in SMPS and inverter topologies.
High pulse current capability
Increased system performance
More compact and easier design
Lower BOM or/and TCO over prolonged life time
Shock & vibration resistance
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 600 V N HDSOP
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 600 V N HDSOP
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 600 V N HDSOP
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 600 V N HDSOP IPDQ60R022S7XTMA1
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 600 V N HDSOP IPDQ60R040S7XTMA1
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 22-Pin PG-HDSOP-22 IPDQ60T022S7XTMA1
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 600 V N, 10-Pin HDSOP
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 600 V N, 10-Pin HDSOP IPDD60R125G7XTMA1