Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 375 A, 600 V N HDSOP IPDQ60R022S7XTMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB355.57

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB380.46

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 750 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB355.57
10 - 99THB337.84
100 - 249THB320.93
250 - 499THB304.83
500 +THB289.55

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
260-1200
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPDQ60R022S7XTMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

375A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

IPD

Package Type

HDSOP

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

22mΩ

Channel Mode

N

Forward Voltage Vf

0.82V

Maximum Power Dissipation Pd

416W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

150nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon MOSFET enables the best price performance for low frequency switching applications. CoolMOS S7 boasts the lowest Rdson values for a HV SJ MOSFET, with distinctive increase of energy efficiency. CoolMOS S7 is optimized for “static switching” and high current applications. It is an ideal fit for solid state relay and circuit breaker designs as well as for line rectification in SMPS and inverter topologies.

High pulse current capability

Increased system performance

More compact and easier design

Lower BOM or/and TCO over prolonged life time

Shock & vibration resistance

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง