Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 20 A, 600 V N, 10-Pin HDSOP
- RS Stock No.:
- 258-3874
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPDD60R125G7XTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1700 ชิ้น)*
THB131,931.90
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB141,166.30
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 1700 - 1700 | THB77.607 | THB131,931.90 |
| 3400 - 3400 | THB69.847 | THB118,739.90 |
| 5100 + | THB62.862 | THB106,865.40 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 258-3874
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPDD60R125G7XTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 20A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | HDSOP | |
| Series | IPD | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 10 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 125mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 27nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 120W | |
| Forward Voltage Vf | 0.8V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 20A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type HDSOP | ||
Series IPD | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 10 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 125mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 27nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 120W | ||
Forward Voltage Vf 0.8V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon Double DPAK, the first top-side cooled surface mount device package addressing high power SMPS applications such as PC power, solar, server and telecom. The benefits of the already existing high voltage technology 600V CoolMOS G7 super junction MOSFETis combined with the innovative concept of top-side cooling, providing a system solution for high current hard switching topologies such as PFC and a high-end efficiency solution for LLC topologies.
Innovative top-side cooling concept
Inbuilt 4th pin Kelvin source configuration and low parasitic source inductance
Enables higher power density solutions
Exceeding the highest quality standards
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 600 V N, 10-Pin HDSOP IPDD60R125G7XTMA1
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 22-Pin PG-HDSOP-22 IPDQ60T040S7AXTMA1
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 600 V N HDSOP
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 600 V N HDSOP
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 600 V N HDSOP
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 600 V N HDSOP IPDQ60R022S7XTMA1
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 600 V N HDSOP IPDQ60R040S7XTMA1
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 600 V N HDSOP IPDQ60R065S7XTMA1
