Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 126 A, 600 V N HDSOP

RS Stock No.:: 260-1203
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPDQ60R065S7XTMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 126 A, 600 V N HDSOP

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 750 ชิ้น)*

THB80,548.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB86,187.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
750 - 750	THB107.398	THB80,548.50
1500 - 1500	THB104.176	THB78,132.00
2250 +	THB100.009	THB75,006.75

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 260-1203
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPDQ60R065S7XTMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	126A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Series	IPD
	Package Type	HDSOP
	Mount Type	Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds	65mΩ
	Channel Mode	N
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Forward Voltage Vf	0.82V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	51nC
	Maximum Power Dissipation Pd	195W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	2.35mm
	Length	15.5mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Width	15.1 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 126A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Series IPD
	Package Type HDSOP
	Mount Type Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds 65mΩ
	Channel Mode N
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Forward Voltage Vf 0.82V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 51nC
	Maximum Power Dissipation Pd 195W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 2.35mm
	Length 15.5mm
	Standards/Approvals RoHS
	Width 15.1 mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IPDQ60R065S7XTMA1

The Infineon MOSFET enables the best price performance for low frequency switching applications. CoolMOS S7 boasts the lowest Rdson values for a HV SJ MOSFET, with distinctive increase of energy efficiency. CoolMOS S7 is optimized for “static switching” and high current applications. It is an ideal fit for solid state relay and circuit breaker designs as well as for line rectification in SMPS and inverter topologies.

High pulse current capability

Increased system performance

More compact and easier design

Lower BOM or/and TCO over prolonged life time

Shock & vibration resistance

Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 126 A, 600 V N HDSOP

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง