Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 90 A, 600 V Enhancement, 22-Pin PG-HDSOP-22 IPDQ60T022S7XTMA1
- RS Stock No.:
- 348-998
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPDQ60T022S7XTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB603.67
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB645.93
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 750 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB603.67 |
| 10 - 99 | THB543.30 |
| 100 + | THB501.24 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 348-998
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPDQ60T022S7XTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 90A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | IPD | |
| Package Type | PG-HDSOP-22 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 22 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 22mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 0.82V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 150nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 416W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | JEDEC, JS-001, RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 90A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series IPD | ||
Package Type PG-HDSOP-22 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 22 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 22mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 0.82V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 150nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 416W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals JEDEC, JS-001, RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
The Infineon CoolMOS S7T enables the best price performance for low frequency switching applications. The embedded temperature sensor increases junction temperature sensing accuracy and robustness while keeping an easy and seamless implementation. CoolMOS S7T is optimized for static switching and high current applications. The new temperature sensor enhances S7 features, allowing the best possible utilization of the power transistor.
Increased system performance
Increased system performance
More compact and more straightforward design
Lower BOM or TCO over a prolonged lifetime
More reliability and longer system lifetime
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 22-Pin PG-HDSOP-22 IPDQ60T022S7AXTMA1
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 22-Pin PG-HDSOP-22 IPDQ60T017S7XTMA1
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 22-Pin PG-HDSOP-22 IPDQ60T040S7AXTMA1
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 22-Pin PG-HDSOP-22 IPDQ60R007CM8XTMA1
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 22-Pin PG-HDSOP-22 IPDQ60T017S7AXTMA1
- Infineon IPQ Type N-Channel Power Device 600 V Enhancement, 22-Pin PG-HDSOP-22 IPQC60T022S7XTMA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 750 V Enhancement, 22-Pin PG-HDSOP-22 IMDQ75R060M1HXUMA1
- Infineon IPQ Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 22-Pin PG-HDSOP-22 IPQC60T017S7AXTMA1