Infineon HEXFET MOSFET, 220 A, 25 V WDSON
- RS Stock No.:
- 258-3964
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF6717MTRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 4800 ชิ้น)*
THB246,048.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB263,280.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 26 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 4800 - 4800 | THB51.26 | THB246,048.00 |
| 9600 - 9600 | THB46.134 | THB221,443.20 |
| 14400 + | THB41.52 | THB199,296.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 258-3964
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF6717MTRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 220A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 25V | |
| Package Type | WDSON | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.1mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 96W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 46nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 220A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 25V | ||
Package Type WDSON | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.1mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 96W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 46nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon StrongIRFET power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
High-current rating
Dual-side cooling capability
Compact form factor
High efficiency
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET MOSFET 25 V WDSON IRF6717MTRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 80 V WDSON
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V WDSON
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V WDSON IRF6727MTRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 80 V WDSON IRF6646TRPBF
- Infineon HEXFET MOSFET 30 V TO-220
- Infineon HEXFET MOSFET 100 V, 5-Pin TO-220
- Infineon HEXFET MOSFET 100 V, 5-Pin TO-220 IRFI4212H-117PXKMA1
