Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 11 A, 100 V Enhancement, 5-Pin TO-220 IRFI4212H-117PXKMA1

RS Stock No.:: 258-3977
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFI4212H-117PXKMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 11 A, 100 V Enhancement, 5-Pin TO-220 IRFI4212H-117PXKMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB2,739.35

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB2,931.10

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

800 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
50 - 50	THB54.787	THB2,739.35
100 - 100	THB49.303	THB2,465.15
150 +	THB44.373	THB2,218.65

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 258-3977
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFI4212H-117PXKMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	11A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	TO-220
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	5
	Maximum Drain Source Resistance Rds	72.50mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	12nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	10V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 11A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type TO-220
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 5
	Maximum Drain Source Resistance Rds 72.50mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 12nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 10V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - IRFI4212H-117PXKMA1

Infineon HEXFET Series MOSFET, 100V Maximum Drain-Source Voltage, 11A Maximum Continuous Drain Current - IRFI4212H-117PXKMA1

This n‑channel MOSFET is a surface‑mount power transistor intended for switching and amplification in industrial electronic systems. It operates across a wide temperature range and conforms to RoHS environmental limits, making it suitable for installations requiring lead‑free components and broad thermal tolerance.

Features and Benefits:

• Low on‑resistance reduces conduction losses
• High‑voltage rating supports elevated supply rails
• Moderate gate charge enables Faster switching transitions
• Five‑terminal package simplifies mounting and connections
• Wide temperature capability maintains operation in extremes

Applications

• Suitable for power conversion modules in industrial equipment
• Ideal for motor‑drive switch stages requiring 11A current
• Used with high‑voltage switch configurations up to 100V
• Suitable for assemblies needing surface‑mount TO‑220 packaging
• Used for thermally stressed environments from -55°C to 150°C

What is the polarity of the channel?

It uses an N‑channel enhancement mode for electron conduction.

How does the gate‑drive demand affect switching?

The typical gate charge is 12 nC at the rated gate voltage, influencing driver sizing and switching speed.

What electrical stresses can the device withstand between drain and source?

It is rated to 100V between drain and source under the maximum specified conditions.

Which package and mounting method are provided?

It is supplied in a TO‑220 package designed for surface mounting.

What limiting characteristic defines conduction efficiency?

The maximum drain-source on‑resistance is 72.50mΩ, affecting conduction losses at high current.