Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 68 A, 80 V WDSON IRF6646TRPBF

RS Stock No.:: 258-3962
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF6646TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 68 A, 80 V WDSON IRF6646TRPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 4800 ชิ้น)*

THB216,916.80

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB232,099.20

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 28 ธันวาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
4800 - 4800	THB45.191	THB216,916.80
9600 - 9600	THB40.672	THB195,225.60
14400 +	THB36.605	THB175,704.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 258-3962
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF6646TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	68A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Series	HEXFET
	Package Type	WDSON
	Mount Type	Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds	9.5mΩ
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	36nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Power Dissipation Pd	89W
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 68A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Series HEXFET
	Package Type WDSON
	Mount Type Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds 9.5mΩ
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 36nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Power Dissipation Pd 89W
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - IRF6646TRPBF

The Infineon HEXFET Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout geometries used in power applications, PCB assembly equipment and vapour phase, infra-red or convection soldering techniques. Application note AN-1035 is followed regarding the manufacturing methods and processes.

Application Specific MOSFETs

Ideal for High Performance Isolated Converter

Primary Switch Socket

Optimized for Synchronous Rectification

Low Conduction Losses

High Cdv/dt Immunity

Low Profile (<0.7mm)

Dual Sided Cooling Compatible

Compatible with existing Surface Mount Technique

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 68 A, 80 V WDSON IRF6646TRPBF

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ตัวเลือกราคาสำหรับซื้อจำนวนมาก

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง