Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 68 A, 80 V WDSON IRF6646TRPBF

RS Stock No.:: 258-3962
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF6646TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 68 A, 80 V WDSON IRF6646TRPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (4800 ชิ้น, ในม้วนขนาด 4800)*

THB216,916.80

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB232,099.20

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 07 ธันวาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
4800 - 4800	THB45.191	THB216,916.80
9600 - 9600	THB40.672	THB195,225.60
14400 +	THB36.605	THB175,704.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 258-3962
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF6646TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	68A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Package Type	WDSON
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds	9.5mΩ
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	36nC
	Maximum Power Dissipation Pd	89W
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 68A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Package Type WDSON
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds 9.5mΩ
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 36nC
	Maximum Power Dissipation Pd 89W
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - IRF6646TRPBF

The Infineon HEXFET Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout geometries used in power applications, PCB assembly equipment and vapour phase, infra-red or convection soldering techniques. Application note AN-1035 is followed regarding the manufacturing methods and processes.

Application Specific MOSFETs

Ideal for High Performance Isolated Converter

Primary Switch Socket

Optimized for Synchronous Rectification

Low Conduction Losses

High Cdv/dt Immunity

Low Profile (<0.7mm)

Dual Sided Cooling Compatible

Compatible with existing Surface Mount Technique

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 68 A, 80 V WDSON IRF6646TRPBF

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ตัวเลือกราคาสำหรับซื้อจำนวนมาก

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง